长鑫存储公布新路线图：已开始生产19nm计算机存储器

长鑫存储技术有限公司已经开始生产基于19nm工艺的计算机存储器，该公司至少制定了两条以上10nm级制程路线图，计划在未来生产各种类型的动态随机存储器（DRAM）。据悉，长鑫存储正在使用其10G1技术（19nm工艺）来制造4Gb和8Gb DDR4存储器芯片，目标在2020年第一季度将其商业化并投放市场。长鑫存储还计划再建两座DRAM晶圆厂。（cnBeta）