据中科院网站6月11日报道，近日，中国科学院宁波材料与联合电子科技大学、复旦大学相关团队基于二维滑移铁电机制，开发出一种新型的二维层状滑移铁电材料（3R-MoS2），该材料制备的存储芯片有望突破读写次数限制，实现无限次读写。这一研究为解决铁电材料的疲劳问题提供了全新途径，研究成果发表在国际顶级学术期刊《Science》上。
传统存储芯片因铁电材料存在读写次数限制，稳定性随使用时间推移而降低，这一问题长期制约着存储芯片的进一步研发和应用。铁电存储器（FeRAM）是一种将DRAM的快速读取写入和数据保留能力，与其他稳定存储设备的特点相结合的随机存取存储器。它不像DRAM和SRAM那样密集，但在低电能需求下存储速度快。中国科研团队的此项技术不仅极大提升了存储芯片的可靠性和耐久性，还有助于降低成本，提升存储密度，未来有望在航空航天、深海探测等极端环境应用以及可穿戴设备、柔性电子技术等领域发挥重要作用。
公司方面，据证券时报表示，
华润微：目前已初步建立起第一代铁电存储器制造能力并实现国内首家消费级新型铁电存储器的批量生产和市场应用。
利扬芯片：公司正在研发的项目包括激光测距传感器芯片、铁电存储器芯片等。
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